| Général |
| Type de périphérique | Lecteur à semi-conducteurs - interne |
| Capacité | 1920 Go |
| Type de mémoire flash NAND | 3D triple-level cell (TLC) |
| Format | 2.5" |
| Interface | PCI Express 5.0 (NVMe) |
| Caractéristiques | Dual Port, protection des données de bout en bout, Protection de perte de puissance (PLP), Sanitize Instant Erase (SIE), 112-layer 3D BiCS FLASH, NVMe 2.0 |
| Largeur | 69.85 mm |
| Profondeur | 100.45 mm |
| Hauteur | 15 mm |
| Poids | 130 g |
| Performances |
| Écritures de lecteur par jour (DWPD) | 1 |
| Classe d'entraînement | Enterprise, Read Intensive |
| Débit de transfert interne | 14000 Mo/s (lecture) / 3500 Mo/s (écriture) |
| Lecture aléatoire 4 Ko | 2000000 IOPS |
| Écriture aléatoire 4 Ko | 155000 IOPS |
| Fiabilité |
| Fiabilité MTBF | 2,500,000 heures |
| Opération 24 h/24, 7 j/7 | Oui |
| Expansion et connectivité |
| Interfaces | 2 x PCI Express 5.0 (NVMe) |
| Baie compatible | 2.5" |
| Alimentation |
| Consommation électrique | 22 Watt (actif (typique))
5 Watt (prêt) |
| Garantie du fabricant |
| Service et maintenance | Garantie limitée - 5 ans |
| Caractéristiques d’environnement |
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
| Température maximale de fonctionnement | 76 °C |
| Température de stockage mini | -40 °C |
| Température de stockage maxi | 85 °C |
| Taux d'humidité en fonctionnement | 5 - 95% RH |
| Résistance aux chocs (en fonctionnement) | 1000 g @ 0,5 ms |
| Tolérance aux vibrations (en fonctionnement) | 2.17 gRMS @ 5-800 Hz |
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